El otro día os contábamos que Samsung había anunciado que ya había comenzado a fabricar en masa los primeros chips NAND Flash de 176 capas, al mismo tiempo que confirmó que ya tenían chips de más de 200 capas funcionales y anunciando que apuntaban hacia chips de 1.000 capas en incluso más en un futuro cercano. Estos impresionantes hitos nos hacen preguntarnos ahora, ¿es que no hay límite en cuanto al número de capas que puede tener la memoria NAND Flash?
La miniaturización de los componentes es algo esencial para poder aumentar densidades, ya que si haces los componentes más pequeños puedes meter una mayor cantidad de estos ocupando el mismo espacio; sin embargo, los fabricantes se dieron cuenta de que ya poco podían expandir sus chips de forma horizontal, por lo que recurrieron a hacerlo en vertical añadiendo más y más capas interconectadas entre sí en lo que llamaron memoria 3D NAND, o V-NAND en el caso de Samsung.
¿Cuántas capas puede llegar a tener la memoria NAND?
Samsung ya ha anunciado que fabrica en masa los primeros SSDs con chips NAND de 176 capas utilizando las celdas de memoria NAND más pequeñas de la industria, pero según el fabricante esto está todavía muy lejos de su capacidad y sobre todo de su proyección de cara al futuro, pues confirmaron que ya tienen funcionales chips con más de 200 capas y aspiran a alcanzar las 1.000 capas muy pronto.
El problema de la expansión en vertical de los componentes de los chips es que, al apilar capa tras capa, el chip crece de forma vertical; al hacerlo, las capas colocadas en la zona inferior están literalmente cada vez más lejos de los sistemas de enfriamiento (el disipador, sin ir más lejos), por lo que éstos se calentarán bastante más que las capas superiores. Algunos fabricantes ya son conscientes de esto y están diseñando sistemas de enfriamiento literalmente atravesando los chips con nanotubos de carbono, pero al final esta es una solución que también es limitante en cuanto al número de capas que es capaz de enfriar.
Si Samsung ya está hablando de chips NAND de 1.000 capas estamos convencidos de que también tienen ya diseñado su sistema de refrigeración y de transmisión de datos entre capas, pero entre estos «agujeros» para enfriar las capas y los «agujeros» de los canales de transmisión de datos entre capas, la densidad de componentes de cada una de ellas también se ve reducido, reduciendo con ello la densidad y la capacidad de los chips.
Por ahora Samsung no ha desvelado mayor información de cómo piensan alcanzar tamaña cantidad de capas en sus chips de memoria, y a pesar de que no tardaremos demasiado en salir de dudas esa cifra de 1.000 capas nos hace pensar y sacar varias conclusiones, como por ejemplo que se han dado cuenta de que ese será precisamente el límite en el que un chip puede crecer de manera vertical con la tecnología actual, o quizá que sea simplemente el objetivo que se han marcado a medio plazo porque alcanzar el millar de capas supondría, desde luego, todo un hito y más cuando la competencia (SK Hynix) habla de 600 capas «nada más».
En todo caso, lo que tenemos más que claro es que existe un límite físico en el que los chips pueden seguir creciendo con capas en vertical, y cuando Samsung anuncie por fin la tecnología que les haga alcanzar las 1.000 capas seguramente salgamos de dudas con respecto a la pregunta de la magnitud de este límite.
The post Samsung ya habla de memoria NAND de 1.000 capas, ¿dónde está el límite? appeared first on HardZone.
